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Macom專(zhuān)注提升GaN-on-SiC產(chǎn)能Macom通過(guò)收購(gòu)Wolfspeed射頻業(yè)務(wù)，拓展其在國(guó)防、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用場(chǎng)景。
美國(guó)放開(kāi)H20芯片出口中國(guó)限制CoWoS嚴(yán)格來(lái)說(shuō)屬于2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)
碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)導(dǎo)電型碳化硅，在切割時(shí)劃片刀摩擦可能產(chǎn)生局部放電。
碳化硅襯底尺寸格局根據(jù)電學(xué)性能差異區(qū)分，碳化硅襯底分為導(dǎo)電型襯底和半絕緣型襯底。
小米YU7大賣(mài)，帶動(dòng)國(guó)產(chǎn)碳化硅供應(yīng)鏈升級(jí)隨著小米旗下車(chē)型的大批量交付，將助力國(guó)產(chǎn)碳化硅供應(yīng)鏈進(jìn)一步完善升級(jí)。
碳化硅將迎來(lái)快速增長(zhǎng)SiC襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、SiC應(yīng)用的基石。
晶圓劃切過(guò)程中怎么測(cè)高？目前測(cè)量刀片磨損有兩種方式：接觸測(cè)高和非接觸測(cè)高。
劃片機(jī)參數(shù)設(shè)置，劃片刀刀高設(shè)置通過(guò)不斷的修改切割參數(shù)及工藝設(shè)定，與劃片刀達(dá)到一個(gè)穩(wěn)定的平衡，可以有效解決崩邊問(wèn)題的發(fā)生。
減薄對(duì)后續(xù)晶圓劃切的影響隨著工藝創(chuàng)新，“先劃片后減薄”（DBG）與“減薄劃片”（DBT）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。
法拉第材料特性及切割要點(diǎn)法拉第旋轉(zhuǎn)片最核心的材料，有包括釔鐵石榴石(YIG)、鋱鎵石榴石(TGG)、鋱鋁石榴石(TAG)、稀土鐵石榴石(RIG)等在內(nèi)的晶體材料。